看好功率晶體朝向體積小功率大的發展方向,力芯科技結合領域內的精英投入開發核心技術,並透過智財申請掌握關鍵技術,建立本公司於業界不敗的地位。

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關於力芯

[關於力芯]本公司將以全新的結構設計,提供Power MOSFET更佳的可靠度

[關於力芯]有鑑於此,本公司將以全新的結構設計,提供Power MOSFET更佳的可 靠度,及大幅減少製造成本為目標。本案採用平面式結構(Planner Trench Field Drifet MOSFET,簡稱PT MOS)設計,不同於UMOS的垂直結構,其 結構適用一般晶圓材料製作及高密度設計之應用,且無需傳統製程的 Backside Metal。

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經營理念

[經營理念]本公司將以全新的結構設計,提供Power MOSFET更佳的可靠度

[經營理念]有鑑於此,本公司將以全新的結構設計,提供Power MOSFET更佳的可 靠度,及大幅減少製造成本為目標。本案採用平面式結構(Planner Trench Field Drifet MOSFET,簡稱PT MOS)設計,不同於UMOS的垂直結構,其 結構適用一般晶圓材料製作及高密度設計之應用,且無需傳統製程的 Backside Metal。

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ZERO Resistance Time has Come – WLCSP Power MOSFETs PTMOS Power MOSFET PT30P01 WLCSP
[w] 0.677mm* [L]0.743mm* [H]0.25mm
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產品資訊

有鑑於此,本公司將以全新的結構設計,提供Power MOSFET更佳的可 靠度,及大幅減少製造成本為目標。本案採用平面式結構(Planner Trench Field Drifet MOSFET,簡稱PT MOS)設計,不同於UMOS的垂直結構,其 結構適用一般晶圓材料製作及高密度設計之應用,且無需傳統製程的 Backside Metal。

Traditional Assembly 傳統封裝
WLCSP POWER MOSFETs 晶圓級尺寸封裝
Traditional Assembly 傳統封裝
WLCSP POWER MOSFETs 晶圓級尺寸封裝

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