[關於力芯]有鑑於此,本公司將以全新的結構設計,提供Power MOSFET更佳的可 靠度,及大幅減少製造成本為目標。本案採用平面式結構(Planner Trench Field Drifet MOSFET,簡稱PT MOS)設計,不同於UMOS的垂直結構,其 結構適用一般晶圓材料製作及高密度設計之應用,且無需傳統製程的 Backside Metal。
[經營理念]有鑑於此,本公司將以全新的結構設計,提供Power MOSFET更佳的可 靠度,及大幅減少製造成本為目標。本案採用平面式結構(Planner Trench Field Drifet MOSFET,簡稱PT MOS)設計,不同於UMOS的垂直結構,其 結構適用一般晶圓材料製作及高密度設計之應用,且無需傳統製程的 Backside Metal。
有鑑於此,本公司將以全新的結構設計,提供Power MOSFET更佳的可 靠度,及大幅減少製造成本為目標。本案採用平面式結構(Planner Trench Field Drifet MOSFET,簡稱PT MOS)設計,不同於UMOS的垂直結構,其 結構適用一般晶圓材料製作及高密度設計之應用,且無需傳統製程的 Backside Metal。