看好功率晶體朝向體積小功率大的發展方向，力芯科技結合領域內的精英投入開發核心技術，並透過智財申請掌握關鍵技術，建立本公司於業界不敗的地位。

[關於力芯]有鑑於此，本公司將以全新的結構設計，提供Power MOSFET更佳的可 靠度，及大幅減少製造成本為目標。本案採用平面式結構(Planner Trench Field Drifet MOSFET，簡稱PT MOS)設計，不同於UMOS的垂直結構，其 結構適用一般晶圓材料製作及高密度設計之應用，且無需傳統製程的 Backside Metal。

[經營理念]有鑑於此，本公司將以全新的結構設計，提供Power MOSFET更佳的可 靠度，及大幅減少製造成本為目標。本案採用平面式結構(Planner Trench Field Drifet MOSFET，簡稱PT MOS)設計，不同於UMOS的垂直結構，其 結構適用一般晶圓材料製作及高密度設計之應用，且無需傳統製程的 Backside Metal。